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MMBTSC3551

更新时间： 2024-09-24 14:53:59

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSC3551 数据手册

MMBTSC3551

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

1. Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

• Relay drivers,lamp drivers,motor drivers application

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak Pulse Current

I_CM

200

Base Current

I_B

Power Dissipation

P_tot

600

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

208

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 23/03/2023 CL Rev: 02

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