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MMBTSC4075W

更新时间： 2024-09-23 05:49:23

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
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描述
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

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MMBTSC4075W 数据手册

MMBTSC4075W

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

For switching application.

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

150

Base Current

I_B

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 6 V, I_C= 2 mA

Current Gain Group

h_FE

140

240

400

700

120

200

350

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 60 V

I_CBO

I_EBO

V_CE(sat)

f_T

0.1

0.25

µA

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 5 V

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

Transition Frequency

at V_CE= 10 V, I_C= 1 mA

MHz

Collector Output Capacitance

at V_CB= 10 V, f = 1 MHz

C_ob

3.5

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 12/03/2009

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