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MMBTSC3552

更新时间： 2023-12-06 20:09:06

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSC3552 数据手册

MMBTSC3552

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• High Current Capacitance

• Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage

• High-Speed Switching

1.Base 2.Emitter 3.Collector

• High Allowable Power Dissipation

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Peak Collector Current

I_CM

350 ¹⁾

Power Dissipation

P_tot

600 ²⁾

Junction Temperature

T_j

150

℃

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

357 ¹⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

208 ²⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

Dated: 20/05/2022 Rev: 01

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