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MMBTSC3837

更新时间： 2024-09-24 14:55:55

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSC3837 数据手册

MMBTSC3837

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For high frequency amplifier application

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

200

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 26/07/2023 Rev: 03

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