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MMBTSC3531-AH

更新时间： 2023-12-06 20:03:52

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先科 - SWST		晶体管
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2页	280K
描述
小信号晶体管

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MMBTSC3531-AH 数据手册

MMBTSC3531-AH

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

low frequency power amp,converter electronic

governor applications.

Features

• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak Pulse Current

I_CM

0.6

Power Dissipation

P_tot

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 2 V, I_C= 50 mA

Current Gain Group

h_FE

120

200

240

400

at V_CE= 2 V, I_C= 1 A

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 20 V

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 5 V

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

Base Emitter Saturation Voltage

at I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

Transition Frequency

I_CBO

I_EBO

100

0.3

1.2

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

180

MHz

at V_CE= 10 V, I_C= 50 mA

Collector Output Capacitance

at V_CB= 10 V, f = 1 MHz

C_ob

Dated: 27/09/2016 Rev: 01 CL

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