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MMBTSC3324W

更新时间： 2024-09-24 14:54:03

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先科 - SWST		晶体管
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MMBTSC3324W 数据手册

MMBTSC3324W

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

The transistor is subdivided into two groups G and

L, according to its DC current gain.

Applications

• For audio frequency low noise amplifier applications.

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

120

100

Base Current

I_B

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

200

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 22/05/2023 Rev: 02

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