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MMBTSC2714

更新时间： 2024-09-24 14:55:03

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSC2714 数据手册

MMBTSC2714

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

The transistor is subdivided into three groups, R,

O and Y, according to its DC current gain

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For high frequency amplifier at FM,RF,MIX, and

IF amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Base Current

I_B

200

Power Dissipation

P_tot

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

625

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated : 10/04/2023 Rev:02

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