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MMBTSC2515DW

更新时间： 2023-12-06 20:01:20

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先科 - SWST		晶体管
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4页	274K
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小信号晶体管

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MMBTSC2515DW 数据手册

MMBTSC2515DW

Dual NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

TR1

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage

TR2

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3.Collector

SOT-363 Plastic package

Applications

• For general purpose and switching applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

500

Peak Collector Current, Pulsed

Peak Base Current, Pulsed

Power Dissipation ¹⁾

I_CM

100

I_BM

℃

P_tot

250

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

500

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 08/03/2023 Rev: 02

12 3 4

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