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MMBTSC2787

更新时间： 2023-12-06 20:01:32

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSC2787 数据手册

MMBTSC2787

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

for FM RF amp, mixer, osc, converter and IF amplifier.

The transistor is subdivided into three groups M, L,

and K according to its DC current gain.

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Current

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_amb=25 C

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

DC Current Gain

at V_CE= 6 V, I_C= 1 mA

Current Gain Group

h_FE

120

300

Collector Base Cutoff Current

at V_CB= 50 V

I_CBO

I_EBO

V_CE(sat)

V_BE

100

0.3

0.75

Emitter Base Cutoff Current

at V_EB= 5 V

Collector Emitter Saturation Voltage

at I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

Base Emitter Voltage

at V_CE= 6 V, I_C= 1 mA

0.65

250

Gain Bandwidth Product

at V_CE= 6 V, I_E= -1 mA

f_T

MHz

Output Capacitance

at V_CB= 6 V, f = 1 MHz

C_ob

2.2

Dated：13/08/2012 Rev：01

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