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MMBTSC1815Y

更新时间： 2022-02-26 11:27:14

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平晶微 - PJSEMI		/
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描述
NPN Transistor

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MMBTSC1815Y 数据手册

MMBTSC1815

NPN Transistor

Features



For Switching and AF Amplifier Applications.

SOT-23

(TO-236)

As Complementary Type of the PNP Transistor

MMBTSA1015 is Recommended.

1.Base 2.Emitter 3.Collector

Marking:

MMBTSC1815O:8O

MMBTSC1815Y:8Y

MMBTSC1815G:HF

MMBTSC1815L:8L

Absolute Maximum Ratings

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_CBO

V_CEO

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

V_EBO

I_C

Emitter Base Voltage

Collector Current

150

200

℃

P_D

Power Dissipation

T_J

Junction Temperature

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to 150

℃

1 / 4

www.pingjingsemi.com

Revision：1.0 Oct-2017

12 3 4

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