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MMBTSC2061D

更新时间： 2023-12-06 20:02:22

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先科 - SWST		晶体管
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MMBTSC2061D 数据手册

MMBTSC2061D

Dual NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors

TR2

TR1

Applications

• For switching and muting application

TR1: 1. Emitter 5. Base 6.Collector

TR2: 2. Emitter 3. Base 4. Collector

SOT-26 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Peak Collector Current

Power Dissipation

I_CM

200

P_tot

300

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

417

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 21/08/2023 Rev: 02

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