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MMBTSB9115-AH

更新时间： 2023-12-06 20:06:15

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSB9115-AH 数据手册

MMBTSB9115-AH

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• AEC-Q101 Qualified

• High Voltage

• Low V_CE(

sat)

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

200

150

Collector Current

Peak Collector Current, Pulsed (tp ≤ 1 ms)

Power Dissipation

-I_CM

300

P_tot

℃

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

417

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 09/05/2022 Rev: 02

12 3 4 5

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