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MMBTSC1623

更新时间： 2024-10-01 14:53:47

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先科 - SWST		晶体管
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4页	923K
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小信号晶体管

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MMBTSC1623 数据手册

MMBTSC1623

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

Low Collector Saturation Voltage

•

• The transistor is subdivided into four groups,

O, Y, G and L, according to its DC current gain

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For switching and AF amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

150

Power Dissipation

P_tot

300

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

417

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 15/02/2022 Rev: 05

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