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MMBTSC0150BP

更新时间： 2024-10-01 14:55:43

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSC0150BP 数据手册

MMBTSC0150BP

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into two groups, A and B,

according to its DC current gain.

Bottom view

1. Base 2. Emitter 3. Collector

DFN1006-3B Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Peak Collector Current

Power Dissipation

I_CM

200

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated：25/08/2023 Rev: 02

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