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MMBTSC1213

更新时间： 2023-12-06 20:02:59

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先科 - SWST		晶体管
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5页	899K
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小信号晶体管

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MMBTSC1213 数据手册

MMBTSC1213

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

1. Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Low frequency amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

0.5

Power Dissipation

P_tot

T_j

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

625

Thermal Resistance - Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 11/10/2021 Rev: 02

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