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MMBTSB9110MY

更新时间： 2023-12-06 20:02:50

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSB9110MY 数据手册

MMBTSB9110MY

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage

• High Collector Current Capability

• Higher Efficiency Leading to Less Heat Generation

1. Base 2. Emitter 3. Collecter

DFN2020-3HM Plastic Package

Applications

• DC to DC Conversion

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

120

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

100

Collector Current

Peak Collector Current, Pulsed

Power Dissipation ¹⁾

-I_CM

P_tot

300

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

417

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

℃

1 / 5

Dated: 22/06/2022 Rev:02

12 3 4 5

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