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MMBTSB9110

更新时间： 2024-10-01 14:54:23

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先科 - SWST		晶体管
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5页	606K
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小信号晶体管

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MMBTSB9110 数据手册

MMBTSB9110

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage

• High Collector Current Capability

• Higher Efficiency Leading to Less Heat Generation

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• DC to DC Conversion

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

120

100

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak Collector Current, Pulsed

Base Current

-I_CM

-I_B

300

300 ¹⁾

Power Dissipation

P_D

480 ²⁾

Junction Temperature

T_j

150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 65 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

417 ¹⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

260 ²⁾

Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated：22/06/2022 Rev:03

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