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MMBTSA1015G

更新时间： 2024-11-03 01:09:35

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平晶微 - PJSEMI		/
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描述
PNP Transistor

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MMBTSA1015G 数据手册

MMBTSA1015

PNP Transistor

Features



For Switching and AF Amplifier Applications.

SOT-23

(TO-236)

As Complementary Type of the NPN Transistor

MMBTSC1815 is Recommended.

1.Base 2.Emitter 3.Collector

Marking:

MMBTSA1015O:10X

MMBTSA1015Y:10Y

MMBTSA1015G:10G

MMBTSA1015L:10L

Absolute Maximum Ratings

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Value

Unit

-V_CBO

-V_CEO

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

-V_EBO

-I_C

Emitter Base Voltage

Collector Current

150

200

P_D

Power Dissipation

T_J

Junction Temperature

150

℃

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to 150

1 / 4

www.pingjingsemi.com

Revision：1.0 Oct-2017

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