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MMBTSA1235-AH

更新时间： 2023-12-06 20:09:02

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先科 - SWST		晶体管
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MMBTSA1235-AH 数据手册

MMBTSA1235-AH

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for low frequency amplification applications

The transistor is subdivided into two groups E and F,

according to its DC current gain.

Features

1. Bate 2. Emitter 3. Collector

• AEC-Q101 Qualified

SOT-23 Plastic Package

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

200

Collector Current

℃

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 30/11/2020 IYC0 Rev: 01

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