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MMBTSA1576W

更新时间： 2023-12-06 20:08:51

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSA1576W 数据手册

MMBTSA1576W

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into three groups Q, R

and S according to its DC current gain.

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

150

Collector Current

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 08/07/2022 Rev: 04

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