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MMBTSA1365

更新时间： 2023-12-06 20:09:20

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSA1365 数据手册

MMBTSA1365

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into three groups E, F

and G according to its DC current gain

1. Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For high current drive application

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

700

Peak Collector Current

Power Dissipation

-I_CM

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 16/08/2023 Rev: 02

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