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MMBTSA1602W

更新时间： 2024-09-30 14:55:55

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSA1602W 数据手册

MMBTSA1602W

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Small collector to emitter saturation voltage

• The transistor is subdivided into two groups, E and F,

according to its DC current gain

Application

• For general small signal amplifier applications

• For small type machine low frequency voltage

amplify application

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

200

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated：01/03/2023 Rev: 02

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