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MMBTSA1162

更新时间： 2023-12-06 19:52:27

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先科 - SWST		晶体管
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5页	790K
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小信号晶体管

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MMBTSA1162 数据手册

MMBTSA1162

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into two groups

Y and G, according to its DC current gain

1. Bate 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For AF general purpose amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

150

Base Current

-I_B

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated：28/07/2022 Rev：03

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