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MMBTSA1036

更新时间: 2024-11-03 14:55:07
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先科 - SWST 晶体管
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5页 730K
描述
小信号晶体管

MMBTSA1036 数据手册

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MMBTSA1036  
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
Features  
• Low Collector Emitter Saturation Voltage  
• The transistor is subdivided into three groups P, Q and  
R, according to its DC current gain  
1.Base 2.Emitter 3.Collector  
SOT-23 Plastic Package  
Applications  
For switching and general purpose applications.  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
-VCBO  
-VCEO  
-VEBO  
-IC  
40  
V
V
32  
5
500  
V
mA  
mW  
Power Dissipation  
Ptot  
200  
O
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
C
O
TStg  
- 55 to + 150  
C
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Unit  
/W  
Max.  
625  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 5  
Dated: 26/07/2023 Rev: 03  

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