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MMBTSA1037D

更新时间： 2024-11-03 14:53:07

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSA1037D 数据手册

MMBTSA1037D

Dual PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

The transistor is subdivided into three groups Q, R

and S according to its DC current gain.

Features

TR2

• Epitaxial planar Die Construction

TR1

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-26 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25

Parameter

unless otherwise specified)

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

0.15

Collector Current

Peak Collector Current, Pulsed

Power Dissipation

-I_CM

0.3

P_tot

300

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Max.

417

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

R_θJA

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 20/12/2022 Rev；01

12 3 4 5

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