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MMBTSA1037R

更新时间： 2024-02-24 11:15:29

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平晶微 - PJSEMI		/
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PNP Transistor

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MMBTSA1037R 数据手册

MMBTSA1037

PNP Transistor

Features



For Switching and AF Amplifier Applications.

SOT-23

(TO-236)

As Complementary Type of the NPN Transistor

MMBTSC2412 is Recommended.

1.Base 2.Emitter 3.Collector

Marking:

MMBTSA1037Q:FQ

MMBTSA1037R:FR

MMBTSA1037S:FS

Absolute Maximum Ratings

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Value

Unit

-V_CBO

-V_CEO

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

-V_EBO

-I_C

Emitter Base Voltage

Collector Current

150

200

P_D

Power Dissipation

T_J

Junction Temperature

150

℃

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to 150

1 / 4

www.pingjingsemi.com

Revision：1.0 Mar-2019

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