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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.03 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 70 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT3906LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
|
| MMBT3906M | CJ |
获取价格 |
TRANSISTOR |
|
| MMBT3906M | CJ |
获取价格 |
SOT-723 |
|
| MMBT3906M | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
40V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
|
| MMBT3906M-HF | COMCHIP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MMBT3906M-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| MMBT3906N | TC |
获取价格 |
SOT-883 |
|
| MMBT3906Q | DIODES |
获取价格 |
PNP, 40V, 0.2A, SOT23 |
|
| MMBT3906Q | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| MMBT3906Q-7-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, |
|
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