MMBT3906T

更新时间： 2024-11-12 11:52:03

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美微科 - MCC		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	116K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MMBT3906T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.02	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	70 ns	Base Number Matches：	1

MMBT3906T 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Micro Commercial Components

MMBT3906T

Features

xꢀ Surface Mount SOT-523 Package

xꢀ Epitaxial Planar Die Construction

PNP General

Purpose Transistor

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Marking:3N

Maximum Ratings

SOT-523

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Rating

-40

Unit

-40

-5.0

-200

833

ć/W

R_șJA

Typical Thermal Resistance Junction

to Ambient

Power Dissipation

P_D

T_J

150

Junction Temperature

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature

Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1.0mAdc, I_B=0)

-40

-5.0

Vdc

DIMENSIONS

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-10PAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

INCHES

DIM

MIN

.059

.030

.057

MAX

.067

.033

.069

MIN

1.50

0.75

1.45

MAX

1.70

0.85

1.75

NOTE

Vdc

(I_E=-10PAdc, I_C=0)

Collector Cut-off Current

(V_CB=-30Vdc, I_E=0)

-50

nAdc

.020 Nominal

0.50Nominal

0.90

.035

.043

.004

.031

.008

.014

1.10

.000

.028

.004

.010

.000

.70

.100

0.80

.200

.35

I_EBO

Emitter Cut-off Current

(V_EB=-5Vdc, I_C=0)

.100

.25

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

(I_C=-0.1mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

(I_C=-10mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

(I_C=-50mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

(I_C=-100mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-10mAdc, I_B=-1.0mAdc)

(I_C=-50mAdc, I_B=-5.0mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-10mAdc, I_B=-1.0mAdc)

(I_C=-50mAdc, I_B=-5.0mAdc)

100

300

V_CE(sat)

-0.25

-0.4

Vdc

V_BE(sat)

-0.65

-0.85

-0.95

www.mccsemi .com

1 of 4

Revision: 3

2008/01/01

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT3906T/R	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRA S
MMBT3906T/R	NXP	获取价格	200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
MMBT3906T/R_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FR
MMBT3906T_1	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT3906T_11	MCC	获取价格	PNP General Purpose Transistor
MMBT3906T_2	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT3906T-7	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT3906T-7-F	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT3906TB	PANJIT	获取价格	SOT-523
MMBT3906-TP	MCC	获取价格	NPN General Purpose Amplifier

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