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MMBT3906T/R_NL

更新时间： 2024-09-25 06:54:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 131K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FREE, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBT3906T/R_NL 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：LEAD FREE, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 ns

MMBT3906T/R_NL 数据手册

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February 2008  
MMBT3906T  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Features  
C
• General purpose amplifier transistor.  
• Ultra-Small Surface Mount Package for all types.  
• Suitable for general switching & amplification  
• Well suited for portable application  
E
B
Marking : A06  
SOT-523F  
• As complementary type, NPN MMBT3904T is recommended  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Value  
-40  
Unit  
V
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-40  
V
-5  
V
200  
mA  
°C  
°C  
TJ  
Junction Temperature  
150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
-55 ~ 150  
* 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics* Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
PC  
Parameter  
Collector Power Dissipation, by RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Max  
250  
Unit  
mW  
RθJA  
500  
°C/W  
* Minimum land pad.  
Electrical Characteristics* Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
IC = -10μA, IE = 0  
Min.  
-40  
40  
Max.  
Unit  
V
BVCEO  
BVEBO  
ICEX  
IC = -1mA, IB = 0  
V
IE = -10μA, IC = 0  
-5  
V
VCE = -30V, VEB(OFF) =-0.3V  
-50  
nA  
hFE  
DC Current Gain  
VCE = 1V, IC =- 0.1mA  
VCE = 1V, IC = -1mA  
VCE = 1V, IC = -10mA  
VCE = 1V, IC = -50mA  
VCE = 1V, IC = -100mA  
60  
80  
100  
60  
300  
30  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = -10mA, IB = -1mA  
IC = -50mA, IB = -5mA  
-0.25  
-0.4  
V
V
IC = -10mA, IB = -1mA  
IC = -50mA, IB = -5mA  
-0.65  
250  
-0.85  
-0.95  
V
V
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Delay Time  
VCE = -20V, IC = -10mA, f = 100MHz  
VCB = -5V, IE = 0, f = 1MHz  
MHz  
pF  
pF  
ns  
Cob  
Cib  
td  
7.0  
15  
VEB = -0.5V, IC = 0, f = 1MHz  
VCC = -3V, IC = -10mA  
IB1 =- IB2 = -1mA  
35  
tr  
Rise Time  
35  
ns  
ts  
Storage Time  
225  
75  
ns  
tf  
Fall Time  
ns  
* DC Item are tested by Pulse Test : Pulse Width≤300us, Duty Cycle≤2%  
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBT3906T Rev. 1.0.0  
www.fairchildsemi.com  
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