MMBT3906W

更新时间： 2024-11-12 04:39:27

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WEITRON		晶体晶体管
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6页	280K
描述
General Purpose Transistor PNP Silicon

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MMBT3906W 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT3906W 数据手册

MMBT3906W

COLLECTOR

General Purpose Transistor

PNP Silicon

BASE

EMITTER

SOT-323(SC-70)

M aximum R atings

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base VOltage

Symbol

Value

-40

-5.0

-200

Unit

Vdc

mAdc

CEO

CBO

EBO

Collector Current-Continuous

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation

TA=25 C

150

C/W

θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage, Temperature

833

J,Tstg

-55 to +150

Device Marking

MMBT3906W=2A

(TA=25 C Unless Otherwise noted)

Characteristics

Electrical Characteristics

Symbol

Unit

Min

Max

Off Characteristics

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I =-1.0mAdc.IB=0)

(2)

V(BR)CEO

V(BR)CBO

-40

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage (IC=-10 µAdc, IE=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage (IE=-10 µAdc, IC=0)

V(BR)EBO

IBL

-5.0

-50

nAdc

Base Cutoff Current (VCE=-30 Vdc, VEB =-3.0 Vdc)

Collector Cutoff Current (VCE=-30Vdc, VEB=-3.0Vdc)

ICEX

1. Device mounted FR4 glass epoxy printed circuit board

suing the minimun recommended footprint.

2. Pulse Test:Pulse Width 300 µS, Duty Cycle 2.0%.

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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