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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT404ALT1
MMBT404ALT1 PDF预览

MMBT404ALT1

更新时间： 2024-11-11 22:36:19
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 99K
描述
Chopper Transistor

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MMBT404ALT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.4
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：35 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：CHOPPER
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：835 ns
最大开启时间（吨）：223 nsBase Number Matches：1

MMBT404ALT1 数据手册

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by MMBT404ALT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
3
2
EMITTER  
1
2
MAXIMUM RATINGS  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–35  
–40  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Vdc  
–25  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
DEVICE MARKING  
I
C
–150  
mAdc  
MMBT404ALT1 = 2N  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR-5 Board,*  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
θJA  
P
D
Alumina Substrate,** T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
θJA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
*FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
**Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
–35  
–40  
–25  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 µAdc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 µAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –10 Vdc, I = 0)  
I
–100  
–100  
nAdc  
nAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = –10 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
EB  
C
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT404ALT3 MOTOROLA

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 		150mA, 35V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
MMBT404A-T1 ETC

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