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MMBT4123

更新时间: 2024-11-11 22:54:43
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

MMBT4123 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9最大集电极电流 (IC):0.2 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.225 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

MMBT4123 数据手册

  

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