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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT4124LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
20 V NPN 双极晶体管 |
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| MMBT4124LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistor NPN Silicon |
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| MMBT4124S62Z | TI |
获取价格 |
NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| MMBT4124S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| MMBT4125 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
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| MMBT4125 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
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| MMBT4126 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
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| MMBT4126 | TRSYS |
获取价格 |
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| MMBT4126 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
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| MMBT4126 | DIODES |
获取价格 |
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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