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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT4126
MMBT4126 PDF预览

MMBT4126

更新时间： 2024-11-11 22:54:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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MMBT4126 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.48
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

MMBT4126 数据手册

 浏览型号MMBT4126的Datasheet PDF文件第2页 
Discrete POWER & Signal  
Technologies  
2N4126  
MMBT4126  
C
E
TO-92  
C
B
B
SOT-23  
Mark: ZF  
E
PNP General Purpose Amplifier  
This device is designed for general purpose amplifier and switching  
applications at collector currents to 10 µA as a switch and to 100  
mA as an amplifier. Sourced from Process 66. See 2N3906 for  
characteristics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
25  
25  
V
V
4.0  
V
Collector Current - Continuous  
200  
mA  
°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N4126  
*MMBT4126  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
°C/W  
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
12

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