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KST4126MTF PDF预览

KST4126MTF

更新时间： 2024-11-12 19:54:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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KST4126MTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.51
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

KST4126MTF 数据手册

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KST4126  
General Purpose Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-25  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-25  
V
CEO  
EBO  
-4  
V
I
-200  
350  
150  
357  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
R
(j-a)  
Thermal Resistance junction to Ambient  
°C/W  
TH  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -10µA, I =0  
-25  
-25  
-4  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -1mA, I =0  
C E  
I = -10µA, I =0  
E
C
I
I
V
= -20V, I =0  
-50  
-50  
360  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
BE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
= -3V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
= -1V, I = -2mA  
120  
60  
FE  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -50mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Input Capacitance  
I = -50mA, I = -5mA  
-0.4  
V
V
CE  
C
B
I = -50mA, I = -5mA  
-0.95  
BE  
C
B
f
V
= -20V, I = -10mA, f=100MHz  
250  
MHz  
pF  
pF  
dB  
T
CE  
BE  
CB  
CE  
C
C
C
V
V
V
= -0.5V, I =0, f=1MHz  
10  
4.5  
4
ib  
C
Output Capacitance  
= -5V, I =0, f=1MHz  
E
ob  
NF  
Noise Figure  
= -5V, I = -100µA, R =1KΩ  
C S  
Noise Bandwidth=10Hz to 15.7KHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
C3  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
123

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT4126 FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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