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KST42S62Z

更新时间： 2024-02-26 15:26:49
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 55K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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KST42S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.78
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

KST42S62Z 数据手册

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KST42/43  
High Voltage Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KST42  
: KST43  
300  
200  
V
V
CEO  
EBO  
: KST42  
: KST43  
300  
200  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
6
V
I
500  
350  
150  
357  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
R
(j-a)  
Thermal Resistance junction to Ambient  
°C/W  
TH  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =100µA, I =0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
: KST42  
: KST43  
300  
200  
V
V
BV  
BV  
* Collector -Emitter Breakdown Voltage  
I =1mA, I =0  
C B  
: KST42  
: KST43  
300  
200  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
I =100µA, I =0  
6
V
E
C
I
I
V
=200V, I =0  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
E
V
=5V, I =0  
C
h
V
V
V
=10V, I =1mA  
25  
40  
40  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
=10V, I =10mA  
C
=10V, I =30mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I =20mA, I =2mA  
0.5  
0.9  
V
V
CE  
BE  
C
B
I =20mA, I =2mA  
C
B
C
Output Capacitance  
: KST42  
ob  
V
=20V, I =0  
3
4
pF  
pF  
CB  
E
: KST43  
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
=20V, I =10mA  
50  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
12345

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