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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KST4403MTF
KST4403MTF PDF预览

KST4403MTF

更新时间： 2024-01-25 23:41:34
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 59K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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KST4403MTF 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.2
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

KST4403MTF 数据手册

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KST4403  
3
Switching Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-40  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-600  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Base Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I = -0.1mA, I =0  
-40  
-40  
-5  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -1.0mA, I =0  
C B  
I = -0.1mA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -35V, V = -0.4V  
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
BEV  
CEX  
CE  
CE  
BE  
Collector Cut-off Current  
V
= -35V, V = -0.4V  
BE  
h
DC Current Gain  
V
V
V
= -1V, I = -0.1mA  
30  
60  
100  
100  
20  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -1.0mA  
C
= -1V, I = -10mA  
C
*V = -2V, IC= -150mA  
*V = -2V, I = -500mA  
300  
CE  
CE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -150mA, I = -15mA  
-0.4  
-0.75  
V
V
CE  
C
B
I = -500mA, I = -50mA  
C
B
I = -150mA, I = -15mA  
-0.75  
200  
-0.95  
-1.3  
V
V
BE  
C
B
I = -500mA, I = -50mA  
C
B
f
I = -20mA, V = -10V  
MHz  
T
C
CE  
f=100MHz  
C
V
= -10V, I =0  
8.5  
35  
pF  
ob  
ON  
CB  
E
f=140KHz  
t
t
Turn On Time  
V
= -30V, V = -2V  
ns  
CC  
BE  
I = -150mA, I = -15mA  
C
B1  
Turn Off Time  
V
= -30V, I = -150mA  
255  
ns  
OFF  
CC  
C
I
=I = -15mA  
B1 B2  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
2T  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
1234

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KST4403MTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT4403K FAIRCHILD

完全替代

 PNP Epitaxial Silicon Transistor
MMBT4403 FAIRCHILD

类似代替

 PNP General Purpose Amplifier

与KST4403MTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST4403S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KST4403TF SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
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