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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KST5088MTF
KST5088MTF PDF预览

KST5088MTF

更新时间： 2024-11-01 12:58:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 58K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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KST5088MTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.28
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：300JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KST5088MTF 数据手册

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KST5088/5089  
3
Low Noise Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KST5088  
: KST5089  
35  
30  
V
V
CEO  
EBO  
: KST5088  
: KST5089  
30  
25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
4.5  
50  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
350  
150  
C
T
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
: KST5088  
I =100µA, I =0  
CBO  
C
E
35  
30  
V
V
: KST5089  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
: KST5088  
I =1mA, I =0  
C B  
CEO  
30  
25  
V
V
: KST5089  
I
Collector Cut-off Current  
: KST5088  
CBO  
V
V
=20V, I =0  
=15V, I =0  
E
50  
50  
nA  
nA  
CB  
CB  
E
: KST5089  
I
Emitter Cut-off Current  
V
=3V, I =0  
50  
nA  
EBO  
EB  
C
h
DC Current Gain  
: KST5088  
: K S T 5 0 8 9  
FE  
V
V
V
=5V, I =100µA  
300  
400  
350  
450  
300  
400  
900  
1,200  
CE  
CE  
CE  
C
: KST5088  
: KST5089  
: KST5088  
: KST5089  
=5V, I =1mA  
C
=5V, I =10mA  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
0.5  
0.8  
V
V
CE  
C
B
(sat)  
I =10mA, I =1mA  
C B  
BE  
f
V
=5V, I =500µA, f=20MHz  
50  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
=5V, I =0, f=100KHz  
4
ob  
E
NF  
Noise Figure  
: KST5088  
: KST5089  
I =100µA, V =5V  
3
2
dB  
dB  
C
CE  
R =10KΩ, f=10Hz to 15.7KHz  
S
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
12345

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KST5088MTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SMMBT5088LT1G ONSEMI

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MMBT5088LT1G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST5088S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KST5088TI SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23
KST5089 FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KST5089L99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KST5089MTF FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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