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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 3 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KST42TI | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23 |
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| KST42TR | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23 |
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| KST43 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
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| KST43D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KST43L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KST43MTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
FAIRCHILD Small Signal Transistors |
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| KST43MTF | ONSEMI |
获取价格 |
NPN外延硅晶体管 |
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| KST43S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KST43TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23 |
|
| KST43-TF | SAMSUNG |
获取价格 |
500mA, 200V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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