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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KST4401
KST4401 PDF预览

KST4401

更新时间： 2024-01-16 12:39:26
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
Switching Transistor

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KST4401 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

KST4401 数据手册

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KST4401  
3
Switching Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
40  
V
CEO  
EBO  
6
V
I
600  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Base Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I =100µA, I =0  
60  
40  
6
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =1.0mA, I =0  
C B  
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=35V, V =0.4V  
100  
100  
nA  
nA  
BEV  
CEX  
CE  
CE  
EB  
Collector Cut-off Current  
V
=35V, V =0.4V  
EB  
h
* DC Current Gain  
V
V
V
V
V
=1V, I =0.1mA  
20  
40  
80  
100  
40  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
=1V, I =1mA  
C
=1V, I =10mA  
C
=1V, I =150mA  
300  
C
=2V, I =500mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I =150mA, I =15mA  
0.4  
0.75  
V
V
CE  
BE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
C
B
I =150mA, I =15mA  
0.75  
250  
0.95  
1.2  
V
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
C
B
f
I =20mA, V =10V  
MHz  
T
C
CE  
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
Turn On Time  
V
=5V, I =0, f=100KHz  
6.5  
35  
pF  
ns  
ob  
CB  
E
t
V
=30V, V =2V  
BE  
ON  
CC  
I =150mA, I =15mA  
C
B1  
t
Turn Off Time  
V
=30V, I =150mA  
255  
ns  
OFF  
CC  
C
I
=I =15mA  
B1 B2  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
2X  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
1234

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KST4401 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT4400 ONSEMI

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