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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 6.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 255 ns | 最大开启时间（吨）： | 35 ns |
| VCEsat-Max： | 0.75 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KST4401TI | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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| KST4401TR | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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| KST4403 | FAIRCHILD |
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Switching Transistor |
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| KST4403D87Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KST4403L99Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KST4403MTF | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| KST4403MTF | ONSEMI |
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PNP外延硅晶体管 |
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| KST4403S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KST4403TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| KST4403-TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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