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MMBT3946DE

更新时间： 2024-11-13 14:53:03

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先科 - SWST		晶体管
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6页	943K
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小信号晶体管

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MMBT3946DE 数据手册

MMBT3946DE

Complementary NPN / PNP Silicon General Purpose Double Transistor

TR1

TR2

Applications

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-563 Plastic package

• For switching and amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C) TR1

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

200

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 ) TR2

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

200

Common Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

Max.

357

Unit

Power Dissipation

P_tot

R_θJA

Thermal Resistance Junction to Ambient ¹⁾

350

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

-55 to + 150

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated : 30/06/2023 Rev:02

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