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MMBT3906-TP-HF

更新时间： 2024-09-24 19:43:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 508K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBT3906-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.59
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：305 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MMBT3906-TP-HF 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
MMBT3906  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
·
PNP General  
Purpose Amplifier  
Capable of 300mWatts of Power Dissipation  
·
Marking:2A  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
-40  
-40  
-5.0  
-0.2  
Unit  
V
V
V
A
SOT-23  
A
D
C
Collector Current, Continuous  
PD  
TJ  
TSTG  
Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.3  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
B
C
E
B
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
F
E
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=-1.0mAdc, IB=0)  
-40  
Vdc  
H
G
J
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-10µAdc, IC=0)  
-40  
Vdc  
Vdc  
K
-5.0  
DIMENSIONS  
I
Collector cut-off Current  
(VCB=-40Vdc, IE=0  
Collector Cut-off Current  
(VCE=-30Vdc, VBE=-3.0Vdc)  
Emitter cut-off Current  
(VEB=-5Vdc, IC=0  
-0.1  
uAdc  
cBO  
ICEX  
IEBO  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
NOTE  
-50  
nAdc  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.104  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
-0.1  
uAdc  
hFE  
DC Current Gain*  
F
G
H
J
(IC=-10mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
(IC=-50mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
(IC=-100mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1.0mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5.0mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1.0mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5.0mAdc)  
Outpuut Capacitance  
(VCB=-5.0Vdc, f=1.0MHz, =0)  
Inpuut Capacitance  
(VEB=-0.5Vdc, f=1.0MHz, =0)  
100  
60  
30  
300  
.085  
.37  
K
VCE(sat)  
-0.25  
-0.4  
Vdc  
Suggested Solder  
Pad Layout  
VBE(sat)  
-0.65  
-0.85  
-0.95  
4.5  
Vdc  
pF  
.031  
.800  
C
C
obo  
.035  
.900  
IE  
10  
pF  
ibo  
.079  
2.000  
inches  
mm  
IC  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=-10mAdc, VCE=-20Vdc, f=100MHz)  
Noise Figure  
250  
MHz  
NF  
4.0  
dB  
.037  
.950  
(VCE=-5.0V, f=1.0kHz,IC=-100uA,Rs=1.0K)  
.037  
.950  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
tr  
ts  
tf  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=-3.0Vdc, VBE=-0.5Vdc  
IC=-10mAdc, IB1=-1.0mAdc)  
(VCC=-3.0Vdc, IC=-10mAdc  
IB1=IB2=-1.0mAdc )  
35  
35  
225  
75  
ns  
ns  
ns  
ns  
*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%  
www.mccsemi.com  
1 of 6  
Revision: C  
2013/01/01  
123456

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