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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT3904SL
MMBT3904SL PDF预览

MMBT3904SL

更新时间： 2024-11-30 04:39:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 149K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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MMBT3904SL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-923F
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.48
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.227 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MMBT3904SL 数据手册

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February 2008  
MMBT3904SL  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
C
Features  
•
•
•
•
•
•
General purpose amplifier transistor.  
E
Ultra small surface mount package for all types(max 0.43mm tall)  
Suitable for general switching & amplification  
Well suited for portable application  
B
Marking : AA  
SOT-923F  
As complementary type, PNP MMBT3906SL is recommended  
Pb free  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Value  
60  
Unit  
V
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
V
6
V
200  
mA  
°C  
°C  
TJ  
Junction Temperature  
150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
-55 ~ 150  
* 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics* Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
PC  
Parameter  
Collector Power Dissipation, by RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Max  
227  
Unit  
mW  
RθJA  
550  
°C/W  
* Minimum land pad.  
Electrical Characteristics* Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
IC = 10μA, IE = 0  
Min.  
60  
Max.  
Unit  
V
BVCEO  
BVEBO  
ICEX  
IC = 1mA, IB = 0  
40  
V
IE = 10μA, IC = 0  
6
V
VCE = 60V, VEB(OFF) = 3V  
50  
nA  
hFE  
DC Current Gain  
VCE = 1V, IC = 0.1mA  
VCE = 1V, IC = 1mA  
VCE = 1V, IC = 10mA  
VCE = 1V, IC = 50mA  
VCE = 1V, IC = 100mA  
40  
70  
100  
60  
300  
30  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = 10mA, IB = 1mA  
IC = 50mA, IB = 5mA  
0.2  
0.3  
V
V
IC = 10mA, IB = 1mA  
IC = 50mA, IB = 5mA  
0.65  
300  
0.85  
0.95  
V
V
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Delay Time  
VCE = 20V, IC = 10mA, f = 100MHz  
VCB = 5V, IE = 0, f = 1MHz  
MHz  
pF  
pF  
ns  
Cob  
Cib  
td  
6
15  
35  
35  
200  
50  
VEB = 0.5V, IC = 0, f = 1MHz  
VCC = 3V, IC = 10mA  
IB1 =- IB2 = 1mA  
tr  
Rise Time  
ns  
ts  
Storage Time  
ns  
tf  
Fall Time  
ns  
* DC Item are tested by Pulse Test : Pulse Width≤300us, Duty Cycle≤2%  
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBT3904SL Rev. 1.0.0  
www.fairchildsemi.com  
1
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