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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT3904T
MMBT3904T PDF预览

MMBT3904T

更新时间： 2024-11-30 10:52:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 214K
描述
150mW NPN General Purpose Amplifier

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MMBT3904T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.05最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MMBT3904T 数据手册

 浏览型号MMBT3904T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT3904T的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
MMBT3904T  
Features  
150mW  
NPN General  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
xꢀ Operating and Storage Junction Temperatures: -55ć to 150ć  
Purpose Amplifier  
·
·
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Collector Current: 0.2A  
Marking: 1N  
SOT-523  
A
Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified  
D
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
C
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
40  
60  
Vdc  
Vdc  
C
B
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10PAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
E
B
6.0  
Vdc  
E
(IE=10PAdc, IC=0)  
Collector Cut-off Current  
(VCB=30Vdc, IE=0)  
50  
50  
nAdc  
nAdc  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
(VEB=5Vdc, IC=0)  
H
G
J
ON CHARACTERISTICS  
K
hFE  
DC Current Gain*  
DIMENSIONS  
INCHES  
(IC=0.1mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
40  
70  
100  
60  
MM  
300  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
J
K
MIN  
.059  
.030  
.057  
MAX  
.067  
.033  
.069  
MIN  
1.50  
0.75  
1.45  
MAX  
1.70  
0.85  
1.75  
NOTE  
30  
VCE(sat)  
.020 Nominal  
0.50Nominal  
0.90  
.000  
.70  
.100  
.25  
0.2  
0.3  
Vdc  
Vdc  
.035  
.043  
.004  
.031  
.008  
.014  
1.10  
.000  
.028  
.004  
.010  
.100  
0.80  
.200  
.35  
VBE(sat)  
0.65  
300  
0.85  
0.95  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=5.0Vdec, IE=0, f=1.0MHz)  
Noise Figure  
MHz  
pF  
Cobo  
NF  
4.0  
5.0  
dB  
(IC=100PAdc, VCE=5.0Vdc, RS=1.0k:  
f=1MHz)  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=3.0Vdc, VBE=0.5Vdc  
IC=10mAdc, IB1=1.0mAdc)  
35  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
tr  
ts  
tf  
(VCC=3.0Vdc, IC=10mAdc  
B1=IB2=1.0mAdc)  
200  
50  
I
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT3904T/R FAIRCHILD

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