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MMBT3904T_11

更新时间： 2024-11-30 10:52:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 214K
描述
150mW NPN General Purpose Amplifier

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MMBT3904T_11 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
MMBT3904T  
Features  
150mW  
NPN General  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
xꢀ Operating and Storage Junction Temperatures: -55ć to 150ć  
Purpose Amplifier  
·
·
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Collector Current: 0.2A  
Marking: 1N  
SOT-523  
A
Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified  
D
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
C
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
40  
60  
Vdc  
Vdc  
C
B
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10PAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
E
B
6.0  
Vdc  
E
(IE=10PAdc, IC=0)  
Collector Cut-off Current  
(VCB=30Vdc, IE=0)  
50  
50  
nAdc  
nAdc  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
(VEB=5Vdc, IC=0)  
H
G
J
ON CHARACTERISTICS  
K
hFE  
DC Current Gain*  
DIMENSIONS  
INCHES  
(IC=0.1mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
40  
70  
100  
60  
MM  
300  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
J
K
MIN  
.059  
.030  
.057  
MAX  
.067  
.033  
.069  
MIN  
1.50  
0.75  
1.45  
MAX  
1.70  
0.85  
1.75  
NOTE  
30  
VCE(sat)  
.020 Nominal  
0.50Nominal  
0.90  
.000  
.70  
.100  
.25  
0.2  
0.3  
Vdc  
Vdc  
.035  
.043  
.004  
.031  
.008  
.014  
1.10  
.000  
.028  
.004  
.010  
.100  
0.80  
.200  
.35  
VBE(sat)  
0.65  
300  
0.85  
0.95  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=5.0Vdec, IE=0, f=1.0MHz)  
Noise Figure  
MHz  
pF  
Cobo  
NF  
4.0  
5.0  
dB  
(IC=100PAdc, VCE=5.0Vdc, RS=1.0k:  
f=1MHz)  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=3.0Vdc, VBE=0.5Vdc  
IC=10mAdc, IB1=1.0mAdc)  
35  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
tr  
ts  
tf  
(VCC=3.0Vdc, IC=10mAdc  
B1=IB2=1.0mAdc)  
200  
50  
I
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 3  
123

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与MMBT3904T_11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT3904T_15 WINNERJOIN

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MMBT3904-T1 SAMSUNG

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