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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT3904T/R
MMBT3904T/R PDF预览

MMBT3904T/R

更新时间： 2024-11-30 12:59:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 112K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBT3904T/R 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.02
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

MMBT3904T/R 数据手册

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2N3904  
MMBT3904  
PZT3904  
C
C
E
E
C
TO-92  
C
B
B
SOT-23  
Mark: 1A  
B
E
SOT-223  
NPN General Purpose Amplifier  
This device is designed as a general purpose amplifier and switch.  
The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to  
100 MHz as an amplifier.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
40  
60  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
200  
mA  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N3904  
*MMBT3904  
**PZT3904  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
350  
2.8  
1,000  
8.0  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
125  
°C/W  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
**Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
2N3904/MMBT3904/PZT3904, Rev A  
1234567

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与MMBT3904T/R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT3904T/R_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FR
MMBT3904T_1 DIODES

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 		NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT3904T_11 MCC

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 		150mW NPN General Purpose Amplifier
MMBT3904T_15 WINNERJOIN

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 		NPN TRANSISTOR
MMBT3904T_2 DIODES

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 		NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT3904-T1 SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
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 		SOT-523

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