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MMBT3904W

更新时间： 2024-12-01 14:55:11

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先科 - SWST		晶体管
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5页	712K
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小信号晶体管

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MMBT3904W 数据手册

MMBT3904W

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• For switching and amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

200

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

200

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 17/02/2023 Rev: 03

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