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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT3904-TP
MMBT3904-TP PDF预览

MMBT3904-TP

更新时间： 2024-11-30 05:49:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 109K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MMBT3904-TP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.53
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：699566Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：SOT-23_FFWSamacsys Released Date：2017-12-15 11:27:16
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

MMBT3904-TP 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMBT3904  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Capable of 350mWatts of Power Dissipation and 200mA Ic.  
xꢀ Operating and Storage Junction Temperatures: -55ć to 150ć  
NPN General  
Purpose Amplifier  
xꢀ Surface Mount SOT-23 Package  
•
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
x
Marking:1AM  
SOT-23  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
A
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
D
OFF CHARACTERISTICS  
C
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10µAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, VBE=3.0Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VBE=3.0Vdc)  
40  
60  
Vdc  
Vdc  
B
C
6.0  
Vdc  
E
B
F
E
50  
50  
nAdc  
nAdc  
ICEX  
H
G
J
ON CHARACTERISTICS  
K
hFE  
DC Current Gain*  
DIMENSIONS  
MM  
(IC=0.1mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
40  
70  
100  
60  
INCHES  
MIN  
300  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
30  
VCE(sat)  
0.2  
0.3  
Vdc  
Vdc  
F
G
H
J
VBE(sat)  
0.65  
300  
0.85  
0.95  
.085  
.37  
K
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
Suggested Solder  
Pad Layout  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=5.0Vdec, IE=0, f=1.0MHz)  
Input Capacitance  
(VBE=0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz)  
Noise Figure  
(IC=100µAdc, VCE=5.0Vdc, RS=1.0kΩ  
f=10Hz to 15.7kHz)  
MHz  
pF  
Cobo  
Cibo  
NF  
.031  
.800  
4.0  
8.0  
5.0  
.035  
.900  
pF  
.079  
2.000  
inches  
mm  
dB  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=3.0Vdc, VBE=0.5Vdc  
IC=10mAdc, IB1=1.0mAdc)  
(VCC=3.0Vdc, IC=10mAdc  
IB1=IB2=1.0mAdc)  
35  
35  
200  
50  
ns  
ns  
ns  
ns  
.037  
.950  
tr  
ts  
tf  
.037  
.950  
*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%  
www.mccsemi.com  
1 of 5  
Revision: 5  
2008/01/01  
12345

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MMBT3904-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT3904-13-F DIODES

类似代替

 40V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BSR17A ONSEMI

功能相似

 NPN 通用放大器
SMBT3904E6327 INFINEON

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

与MMBT3904-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT3904TT1 ONSEMI

获取价格

 		General Purpose Transistors
MMBT3904TT1 ROCHESTER

获取价格

 		200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 463-01, SC-75, 3 PIN
MMBT3904TT1_07 ONSEMI

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 		General Purpose Transistors
MMBT3904TT1G ONSEMI

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 		General Purpose Transistors
MMBT3904TT1G TI

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 		Using the PWR091EVM Dual-Output DC/DC Analog With PMBus Interface
MMBT3904T-TP MCC

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 		150mW NPN General Purpose Amplifier
MMBT3904T-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
MMBT3904W PANJIT

获取价格

 		NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT3904W TYSEMI

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 		Pb?Free package is available
MMBT3904W SECOS

获取价格

 		General Purpose Transistor

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