生命周期: | Transferred | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.03 | 最大集电极电流 (IC): | 0.2 A |
基于收集器的最大容量: | 4 pF | 集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 0.15 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 300 MHz |
最大关闭时间(toff): | 250 ns | 最大开启时间(吨): | 70 ns |
VCEsat-Max: | 0.3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBT3904ZK | FOSHAN |
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DFN1006-3L | |
MMBT3906 | DAYA |
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SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors | |
MMBT3906 | RECTRON |
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SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) | |
MMBT3906 | SEMTECH |
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PNP Silicon General Purpose Transistor | |
MMBT3906 | WEITRON |
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General Purpose Transistor PNP Silicon | |
MMBT3906 | UTC |
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GENERAL PURPOSE APPLIATION | |
MMBT3906 | INFINEON |
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PNP Silicon Switching Transistor | |
MMBT3906 | KEXIN |
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PNP Transistors | |
MMBT3906 | NEXPERIA |
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PNP switching transistorProduction | |
MMBT3906 | ONSEMI |
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PNP 通用放大器 |